1、展示技术驱动在技术上占据制高点无疑是商业竞争中的核武器，这一点在三星身上便可窥知一二。

基于接入架构解决参考文献[1]Xiong,T.;Zhang,Y.;Lee,W.S.V.;Xue,J.DefectEngineeringinManganese‐BasedOxidesforAqueousRechargeableZinc‐IonBatteries:AReview.AdvancedEnergyMaterials2020,2001769,DOI:10.1002/aenm.202001769.[2]Zhang,Y.;Chen,A.;Sun,J.Promiseandchallengeofvanadium-basedcathodesforaqueouszinc-ionbatteries.JournalofEnergyChemistry2021, 54,655-667,DOI:10.1016/j.jechem.2020.06.013.[3]Zhang,Y.;Tao,L.;Xie,C.;Wang,D.;Zou,Y.;Chen,R.;Wang,Y.;Jia,C.;Wang,S.DefectEngineeringonElectrodeMaterialsforRechargeableBatteries.Advancedmaterials2020, 32 (7),e1905923,DOI:10.1002/adma.201905923.[4]Zu,D.;Wang,H.;Lin,S.;Ou,G.;Wei,H.;Sun,S.;Wu,H.Oxygen-deficientmetaloxides:Synthesisroutesandapplicationsinenergyandenvironment.NanoResearch2019, 12 (9),2150-2163,DOI:10.1007/s12274-019-2377-9.[5]Zhang,X.;Liu,X.;Zeng,Y.;Tong,Y.;Lu,X.OxygenDefectsinPromotingtheElectrochemicalPerformanceofMetalOxidesforSupercapacitors:RecentAdvancesandChallenges.SmallMethods2020, 4 (6),1900823,DOI:10.1002/smtd.201900823.[6]Liao,M.;Wang,J.;Ye,L.;Sun,H.;Wen,Y.;Wang,C.;Sun,X.;Wang,B.;Peng,H.ADeep-CycleAqueousZinc-IonBatteryContaininganOxygen-DeficientVanadiumOxideCathode.AngewChemIntEdEngl2020, 59 (6),2273-2278,DOI:10.1002/anie.201912203.[7]Lin,Y.;Zhou,F.;Xie,M.;Zhang,S.;Deng,C.V6O13-delta@CNanoscrollswithExpandedDistancesbetweenAdjacentShellsasaHigh-PerformanceCathodeforaKnittableZinc-IonBattery.ChemSusChem2020,DOI:10.1002/cssc.202000699.[8]Li,Z.;Ren,Y.;Mo,L.;Liu,C.;Hsu,K.;Ding,Y.;Zhang,X.;Li,X.;Hu,L.;Ji,D.;Cao,G.ImpactsofOxygenVacanciesonZincIonIntercalationinVO2.ACSnano2020, 14 (5),5581-5589,DOI:10.1021/acsnano.9b09963.[9]Luo,H.;Wang,B.;Wang,C.;Wu,F.;Jin,F.;Cong,B.;Ning,Y.;Zhou,Y.;Wang,D.;Liu,H.;Dou,S.SynergisticdeficiencyandheterojunctionengineeringboostedVO2redoxkineticsforaqueouszinc-ionbatterieswithsuperiorcomprehensiveperformance.EnergyStorageMaterials2020, 33,390-398,DOI:10.1016/j.ensm.2020.08.011.[10]Yang,W.;Dong,L.;Yang,W.;Xu,C.;Shao,G.;Wang,G.3DOxygen‐DefectivePotassiumVanadate/CarbonNanoribbonNetworksasHigh‐PerformanceCathodesforAqueousZinc‐IonBatteries.SmallMethods2019, 4 (1),1900670,DOI:10.1002/smtd.201900670.[11]Ding,J.;Du,Z.;Li,B.;Wang,L.;Wang,S.;Gong,Y.;Yang,S.UnlockingthePotentialofDisorderedRocksaltsforAqueousZinc-IonBatteries.Advancedmaterials2019, 31 (44),e1904369,DOI:10.1002/adma.201904369.[12]Chen,Z.;Hu,J.;Liu,S.;Hou,H.;Zou,G.;Deng,W.;Ji,X.Dualdefectsboostingzincionstorageofhierarchicalvanadiumoxidefibers.ChemicalEngineeringJournal2021, 404,126536,DOI:10.1016/j.cej.2020.126536.本文由FredLan供稿。根据已有文献的报道，无源缺陷工程技术不仅能够提高锰基材料的电化学性能，对于过渡金属氧化物的钒基材料同样也适用。

光纤（a）在1C至600C的倍率性能。另一方面，全光根据表面电子密度的测试结果，无缺陷的V6O13（p-VO）表现出均匀的电荷分布（图1c-d），而电子将在氧缺陷的V6O13周围聚集（Od-VO，图1e-f）。这种无序岩盐结构不仅提供了丰富的Zn2+储存位点，园区而且有助于Zn2+的扩速扩散。

从另一方面来讲，展示缺陷工程技术可以增加更多的电化学能量存储位点、增强离子扩散和电子转移动力学以及增强晶体结构稳定性[2-5]。作为水系锌离子电池正极材料的宠儿，基于接入架构解决对于如何实现最优异的电化学性能一直是研究者不断奋斗的目标。

因为宿主材料结构中的负电性氧原子与嵌入的Zn2+有很强的相互作用，无源在充电过程中它会抑制Zn2+从主体结构脱出，导致可逆容量差和循环寿命低。

因此，光纤Od-VO2-rG复合正极表现出优异的电化学性能，光纤具有高容量（0.1Ag-1：376mAhg-1），令人印象深刻的倍率容量（20Ag-1：116mAhg-1）和令人满意的循环稳定性（5000次循环后容量保持率为88.6％）。另一所老牌材料名校东北大学也在2次排名退步明显，全光第8到第16，再到前17（A-等，并列第9，成绩最好的情况是第九，最差是第十七）。

我们再来看看被评为A级以上（含）的17所高校在十年间三次评选的成绩：园区如果单凭排名来看，十年弹指一挥间，改变了很多。展示武汉理工大学从2012年第五涨到今年并列第一。

中南大学从2007年的第二名，基于接入架构解决退到2012年的第8名，再退到2017年的前17名（A-等，并列第9，成绩最好的情况是第九，最差是第十七）。北京航空航天大学这几年也评上徐惠彬、无源王华明两位院士，院士总数已有5位。